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三星西安閃存芯片產能占比將超40%,二期項目預計2022年實現滿產


據陜視新聞報道,近日,陜西省2020年重點項目觀摩活動舉行。其中,在走進西安中,三星12英寸閃存芯片二期項目、西安奕斯偉硅產業基地一期項目等被提及。


據介紹,三星12英寸閃存芯片二期項目由三星(中國)半導體有限公司投資建設,總投資1010億元,新建一條12英寸3D V-NAND生產線。


項目二期2017年開工,預計2021年上半年建成投產,2022年完成全部投資并實現滿產。項目全部滿產后,三星西安公司閃存芯片產能將占三星電子全球產能的40%以上,年產值將突破1000億元,成為陜西省第一家千億級高科技制造業企業和全球規模最大的閃存芯片生產基地。


值得注意的是,三星高端存儲芯片二期第一階段項目在今年3月10日舉行產品下線上市儀式。


據當時西安新聞網報道,三星高端存儲芯片二期第一階段項目已具備量產能力,預計今年8月實現滿產;二期第二階段項目,投資80億美元,于2019年12月25日正式啟動,預計2021年上半年實現量產。


西安奕斯偉硅產業基地一期項目于2018年5月開工,由西安奕斯偉硅片技術有限公司投資建設,總投資30億元,項目致力于填補我國半導體行業大硅片制造的空白,研發生產12英寸(300mm)電子級硅拋光片和外延片,新建12 英寸硅片材料生產廠房、潔凈間及配套系統,第一階段產能達5萬片/月生產規模,最終計劃建成月產能100萬片、年產值超百億元的12英寸電子級硅材料企業。


來源:集微網


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